게르마늄이 도핑된 InZnO 활성층을 적용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법, 2016-10-20, 101669723, 부산대학교 산학협력단, 이문석, 임용진
PDMS 패시베이션층을 적용한 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미늄-인듐 아연 산하물 반도체 박막트랜지스터, 2016-06-07, 10-1630028, 부산대학교 산학협력단, 이문석, 박성민
인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터, 2013-03-25, 10-2013-0031303, 부산대학교 산학협력단, 이문석, 이동희
산화물 박막트랜지스터 소자 및 그의 제조방법, 2012-10-17, 10-2012-0115556, 부산대학교 산학협력단, 이문석, 양정일
박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법, 2011-01-05(출원일), 2013-02-04(등록일), 10-2011-0000869, 10-1231724, 부산대학교 산학협력단, 이문석, 손희근
유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법, 2010-11-19, 10-2010-0115688, 부산대학교 산학협력단, 이문석, 김정수
Semiconductor Memory Devices Including a Vertical Channel Transistor 2009-04-06, 418879, 삼성전자, 이문석, 윤재만, 박동건, 이충호, 이철
Methods of Manufacturing Semiconductor Memory Devices Including A Vertical Channel Transistor, 2005-06-13(출원일), 2009-07-30(등록일),151673, 7531412, 삼성전자, 이문석, 윤재만, 박동건, 이충호, 이철
수직 채널 MOS 트랜지스터를 구비한 반도체 메모리 소자 및 제조방법, 2004-11-08(출원일), 2006-08-25(등록일) 10-2004-90496 ,1006188750000, 삼성전자, 이문석,윤재만,박동건,이충호,이철