다른 종류의 트렌지스터와 마찬가지로 Gate(G), Drain(D), Source(S)의 세 단자를 가진 소자로서 채널층 및 전극층, 절연막층 등이 Oxide 물질로 구현된 소자입니다. 액정표시 방법 중의 하나의 핵심소자이며 액정 화소 개개의 TFT를 제어하여 RGB Data를 표시하는 방식입니다. 주된 기능은 전류제어이며, 동작원리는 반도체 MOSFET과 매우 유사합니다.
기존 a-Si TFT 대비 전자 이동도가 10배 이상 빨라서 UD(Ultra Definition)급 고해상도와 Narrow Bezel Design의 TV구현, 투명한 산화물을 적용하여 투명 디스플레이 제조가 가능합니다. 또한, 제조 공정상 저온의 Sputtering 방식으로 제조가 가능하여 플렉시블 디스플레이를 구현할 수 있습니다. 고해상도 구현을 위해 poly-Si을 형성 시 7~11 Step의 공정이 필요하나, Oxide TFT 적용 시 4~5 Step으로 제조가 가능합니다. 기존의 TFT 공정에서 사용되는 장비의 활용도가 높아서 신규 설비 투자 규모를 줄일 수 있으며, 별도의 결정화 공정이 필요하지 않아 기판 대형화에 유리합니다.
다만 Oxide 핵심장비인 Sputter 개발이 미진하며, IGZO 소재 중 In, Ga, Zn은 전자결합력이 높고 산화력으로 인해 동일한 비율로 연속적으로 증착하기 어려워서 안정성이 떨어집니다. 이로 인해 양산수율확보에 어려움이 있습니다. 그리고 Oxide TFT는 식각공정에 민감하여 소스와 드레인 전극 패턴공정에서 전기적 특성이 변할 수 있기 때문에 대량양산 수율확보까지 시간이 걸립니다.